DMDによる直接描画で半導体デバイス試作のサイクルタイムを削減!最大12インチウェハに対応します!
![マスクレス露光装置[ME-120F]│株式会社ピーエムティー](https://pmt-corporation.com/test_pmt/wp-content/uploads/2022/10/PLS-3000-1.png)
マスクレス露光装置[ME-120F]は、露光によって半導体ウェハなどにパターンを描画する装置です。
DMD(Digital Micromirror Device)と呼ばれる表示素子で直接描画を行うため、フォトマスクの製作に必要とされていた莫大な費用と多くの時間が不要になり、従来のフォトリソグラフィプロセスにおける課題が解消されます。
![マスクレス露光装置[ME-120F]―最小L/S(0.5µm)│株式会社ピーエムティー](https://pmt-corporation.com/test_pmt/wp-content/uploads/2022/10/05LS.png)
マスクレス露光装置[ME-120F]の特徴
1. DMDによる直接描画
DMDは、10数µm角の微小な鏡を格子状に配列した表示素子。
鏡面にLEDを光源とする光を照射し、一つひとつのミラーを傾ける(ON/OFF制御する)ことにより、2値化されたパターンの画像データを基板上に直接描画します。
フォトマスク製作にかかる費用と時間が不要になるため、半導体デバイスの試作を効率化することができます。
2. ファインモード搭載でジャギを改善
露光結果のジャギを改善するため、標準露光モードに加え、ピクセル補完技術を応用したファイン露光モードを標準搭載。
スループット時間は長くなりますが、斜線や曲線のデータ再現性が飛躍的に向上します。
タクトと精度、目的に応じてご使用いただけます。
製品仕様
基板 | Max. □300mmウェハ |
露光方式 | スキャン露光方式 |
光源 | LED(光源波長:λ=385nm) |
重ね合わせ精度 | ±0.5µm以内 |
露光能力 | 400mm2/min(標準露光時) |
分解能 | 標準露光時: 0.5µm/pix ファイン露光時: 0.05µm/pix(x10), 0.10µm/pix(x5) 0.125µm/pix(x4), 0.25µm/pix(x5) |
本体寸法 | W2000 × D1300 × H2000mm |
重量 | 約1300kg |
使用環境 | 温度:22±1℃ 湿度:50±10%RH(結露無き事) |
電源 | AC100V(3A) |
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